ИЗМЕНЕНИЯ СТРУКТУРЫ НАНОРАЗМЕРНЫХ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК GE2SB2TE5<BI> ПРИ ЛАЗЕРНОМ ОБЛУЧЕНИИ

Аңдатпа

В работе приведены результаты исследований изменения структуры модифицированных примесью висмута наноразмерных аморфных пленок состава Ge₂Sb₂Te₅ (Ge₂Sb₂Te₅<Bi>) при лазерном облучении. Модифицированные пленки толщиной ~90 нм получались методом ионно-плазменного магнетронного ВЧ со-распыления поликристаллической мишени из Ge₂Sb₂Te₅ и висмута в атмосфере аргона. Состав пленок и аморфность их структуры контролировались методами энерго-дисперсионного анализа (EDX) на SEM Quanta 3D 200i и просвечивающей электронной микроскопии. Концентрация примеси висмута в пленках изменялась от 2,6 до 16,5 ат.%. Изменения в структуре аморфных пленок под действием лазерного облучения регистрировались in situ методом Рамановской спектроскопии. Показано, что в наноразмерных пленках Ge₂Sb₂Te₅ и Ge₂Sb₂Te₅<Bi>, содержащих примесь Bi до ~7 ат.%, при лазерном воздействии наблюдается переход их структуры из аморфного состояния в термодинамически устойчивое кристаллическое состояние с гексагональной структурой через промежуточное метастабильное кристаллическое состояние с кубической структурой. В пленках Ge₂Sb₂Te₅<Bi> с большей концентрацией Bi при лазерном облучении их структура переходит из аморфного состояния в кристаллическое со стабильной гексагональной структурой без промежуточного метастабильного состояния.